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DNK大日本科研
產(chǎn)品型號(hào)：MUM系列掩膜來(lái)控制光刻膠
產(chǎn)品品牌：DNK大日本科研
產(chǎn)品介紹：

DNK大日本科研在曝光過(guò)程中，通過(guò)移動(dòng)掩膜來(lái)控制光刻膠表面的曝光能量分布。能夠制作有任意曲面及傾斜的三維微細(xì)構(gòu)造體
詳細(xì)介紹

DNK大日本科研在曝光過(guò)程中，通過(guò)移動(dòng)掩膜來(lái)控制光刻膠表面的曝光能量分布。能夠制作有任意曲面及傾斜的三維微細(xì)構(gòu)造體。

主要特長(zhǎng)

  • 采用獨(dú)自的鏡面?鏡頭光學(xué)系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)**均勻的照射。
  • 配備有可設(shè)定非接觸?面內(nèi)均一間隙的間隙傳感器和對(duì)應(yīng)多層曝光的顯微鏡、X?Y?θ軸對(duì)位臺(tái)的對(duì)位系統(tǒng)。
  • 采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微細(xì)移動(dòng))能夠控制厚膜光刻膠的側(cè)壁傾斜角度,形成三維微細(xì)構(gòu)造體。
 Moving UV mask法

光刻膠膜厚50μm時(shí)的圖形例

L/S=50μm
掩膜移動(dòng)量=20μm

マスク移動(dòng)量=20μm

Dot=Φ50μm
掩膜移動(dòng)量=Φ25μm

Dot=Φ50μm

MEMS用曝光裝置

主要規(guī)格

MUM系列
掩膜尺寸 Max 9″ x 9″ x t3.0 mm
基板尺寸 Max Φ8″(Wafer)
光源 超高壓水銀燈：500W or 1kW
外觀尺寸及重量 本體尺寸 W2120 x D1305 x H1850 mm
本體重量 640kg

※基板尺寸和水銀燈瓦數(shù)及特殊規(guī)格可商洽

膠片用曝光裝置